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计算元器件的结温及热阻值的解析
2023-04-18
计算元器件的结温及热阻值的解析θJA是热阻的单位，用来表示空气到结温的阻值，单位是℃ W或Ｋ W。做电路设计都需要用到以下的公式来
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MOS管热阻,输入输出电容,开关时间解析
2023-04-18
MOS管热阻,输入输出电容,开关时间解析打开一个MOS管的SPEC，会有很多电气参数，本文分析一下热阻、电容和开关时间。热阻，英文Thermal res
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PMOS设计反向电压保护电路,原理介绍
2023-04-15
PMOS设计反向电压保护电路,原理介绍直流系统中，比如汽车电子设计中，当电池接反时，使用电池作为电源的电路可能会损坏，所以一般需要反向
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通过双脉冲测试确认MOSFET损耗解析
2023-04-15
通过双脉冲测试确认MOSFET损耗解析MOSFET体二极管的反向恢复特性与桥式电路损耗的关系在逆变器电路和Totem Pole型功率因数改善（PFC）电路
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LED电路,利用MOSFET提升效率降低噪声介绍
2023-04-15
LED电路,利用MOSFET提升效率降低噪声介绍LED照明电路（临界模式PFC＋DC DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪声的案例下面的电路摘自实际LED照
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开关损耗测试在电源调试中的重要作用介绍
2023-04-14
开关损耗测试在电源调试中的重要作用介绍MOSFET IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节。开关电源(SMPS)技术依托电源半导体开关设
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开关损耗测量中需要注意的问题分析
2023-04-14
开关损耗测量中需要注意的问题分析开关损耗测量中应考虑哪些问题在实际的测量评估中，我们用一个通道测量电压，另一个通道测量电流，然后软
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驱动电路中的误开通介绍
2023-04-14
驱动电路中的误开通介绍驱动电路中的误开通功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一个受门极电压控制的开关。当门极电压大于开通阈值时，功
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驱动电路中的误开通怎么避免
2023-04-13
驱动电路中的误开通怎么避免避免驱动误开通的方法门极电阻、电容法为了避免功率管的误开通，常用的方法是通过调整门极驱动的电阻和电容，如
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SiC MOSFET桥臂串扰问题,误开通详解
2023-04-13
SiC MOSFET桥臂串扰问题,误开通详解相较于传统的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的导通电阻，更快的开关速度，使得系统损耗大幅降低，效
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MOS管驱动电路功率损耗怎么计算
2023-04-13
MOS管驱动电路功率损耗怎么计算在一些大电流的MOS管应用电路中，功耗越大，意味着发热越多，器件温升就越高，这对于电路的稳定工作而言是个
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小功率电源MOS管驱动电路设计图文介绍
2023-04-12
小功率电源MOS管驱动电路设计图文介绍MOS管驱动电路设计对于小功率电源(50W以内)MOS管的驱动电路设计相对简单，只需要一个驱动电阻Rg即可对