传真:
18923864027
QQ:
709211280
地址:
深圳市福田区振中路84号爱华科研楼7层
NMOS管防反保护电路设计介绍设计具有 NMOS 和驱动IC 的防反保护电路时,NMOS 需放置在高边,驱动IC也从高边取电,这里将产生一个大于输
直流电路防反接保护方案图文介绍在直流电源系统中,电源的输入端,为了防止电源正负极接反,通常会在输入端对电源进行防反接保护。1 二极管
直流电源的应用电路介绍1 直流电源的框图下图为直流电源的框图。2 半波整流利用二极管的单向导通性,实现半波整流。3 全波整流在实际电
直流电机驱动电路图解什么是电机驱动器?电机驱动器是控制扭矩、位置输出和电机速度的电子设备。驱动器可以对进入电机的负载电流进行普通开
电源电路,可变直流电源电路图介绍可变直流电源电路,或者我们可以称之为可调直流电源,它给我们一个1 2V-25V的输出电压。上面的电源原理图
线性稳压电源电路图文解析线性稳压电源电路有分离元件构成的稳压电源电路和集成电路构成的稳压电源电路两种。分离元件式电源电路典型的分离
平面MOSFET和超级结MOSFET的区别功率晶体管近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率范围。下图表示处理各功率晶体
平面MOSFET与超级结MOSFET的结构区别基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on),同时具有更
功率器件结温与壳顶温度差异解析开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器通常会使用功率器件,在设计过程中要测量功率MOSFET或IGBT结温,
PCB设计,提高超级结MOSFET的性能介绍与传统平面MOSFET技术相比,超级结MOSFET可显著降低导通电阻和寄生电容。导通电阻的显著降低和寄生电容
怎么确定MOSFET所需最小散热器尺寸假定设计电路中的功率MOSFET的总计算功耗为10W。该器件的最高结温为150℃。考虑到结到外壳还存在温差,那
关于MOSFET和散热器的图文解析功率MOSFET、功率BJT和功率二极管等功率器件,散热器对于提供散热非常重要。从名称本身来看,它将吸收功率器