传真:
18923864027
QQ:
709211280
地址:
深圳市福田区振中路84号爱华科研楼7层
基于CMOS的普通的AB级输出电路图9 24示出一例用CMOS构成AB级输出电路的办法。输出晶体管M,和Mz两个栅极间并联衔接着n沟MOS晶体管M3和p沟MOS
输入阻抗高由于栅氧化膜与硅衬底绝缘,所以CMOS的输入具有十分高的输入阻抗。实践的CMOS器件中,输入级装备有维护电路(维护二极管或维护MO
MOS管工作原理MOS管定义MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型。其结构示意图:结构示意图解析1)沟道上面图
详解,N沟道MOS管和P沟道MOS管先讲讲MOS CMOS集成电路MOS集成电路特点:制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,
输入维护电路当器件加有过大的电压或电流时,器件会遭到损伤而导致性能劣化,严重时会被击穿。这时芯片上的布线或器件的分离局部将会被毁坏
漏极电流与VGS呈指数关系至此,所考虑的MOS晶体管的工作,都是栅极—源极间电压VGS比阈值电压VT大时的状况。当VGS比VT大很多时,在栅氧化膜
图9 27示出普通的OP放大器的符号。理想的OP放大器中,输入电压与输出电压的关系是这里的Vdm是OP放大器的电压增益。所以当Vinp=Vinn时,输出
源极接地电路中的负载驱动上一节讨论的2级结构OP放大器的输出级是源极接地电路。现在讨论这种2级结构OP放大器的输出级驱动负载电阻的情况。
逻辑阈值电压由于逻辑阈值电压是式(10 1)中的-IDS与式(10 2)中的IDS相等时的电压,所以应用这个关系能够求得Vin:假如KN=Kp,即KN KP=1,经
普通状况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需求是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极
MOS管的高频小信号电容从MOS管的几何构造及工作原理能够发现,MOS管存在着多种电容,这会影响MOS管的高频性能。依据MOS管的几何构造构成的
MOS场效应管电源开关电路。简单解释一下MOS场效应管的工作原理。MOS 场效应管也被称为MOSFET, 既Metal Oxide Semiconductor Field E