深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二极管、三极管、MOS管、桥堆
全国服务热线：18923864027
R
烜芯微推荐产品
ecommended
联系烜芯微
咨询热线：
18923864027
传真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田区振中路84号爱华科研楼7层
-
LED驱动电源方案-LED驱动电源设计的5个要点和失效分析
2019-08-20
LED,驱动电源LED驱动电源简介LED驱动电源是把电源供应转换为特定的电压电流以驱动LED发光的电源转换器，通常情况下：LED驱动电源的输入包括
-
MOS管驱动电路分析-MOS管驱动电路经典设计大全
2019-08-19
MOS管,MOS管驱动电路MOS管概述mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)
-
SOT-223封装尺寸外观图-三端稳压管选型表与引脚识别好坏判断
2019-08-19
SOT-223封装,三端稳压管SOT-223封装尺寸及实物图SOT-223封装的三端稳压管型号表烜芯微科技SOT-223封装的三端稳压管型号表SOT-223封装 三端
-
TO-263封装尺寸与外形图-TO-263封装MOS管厂家及参数型号
2019-08-19
TO-263封装,MOS管MOS管封装说明MOSFET芯片在制作完成之后,需要给MOSFET芯片加上一个外壳,即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷
-
mos管规格书参数-MOS管规格书各个MOS参数
2019-08-19
mos管规格书参数详解mos管规格书参数详解之读懂每一个mos管参数在了解mos管规格书参数详解之前，先来看看mos管的每一个参数代表什么及说明
-
P沟道场效应管特点与开关条件应用解析
2019-08-19
P沟MOS晶体管金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，叫源极和漏极
-
P沟道场效应MOS管特点与开关条件应用
2019-08-17
P沟MOS晶体管金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，叫源极和漏极
-
大功率mos参数型号表与开关电路特性分析
2019-08-17
大功率mos参数表功率mos文中列出了烜芯微半导体大功率mos参数表，请查看下表。先了解一下功率mos，功率放大电路是一种以输出较大功率为目的
-
开关电源mos管型号参数表-五种常用开关电源MOSFET驱动电路
2019-08-17
关电源mos管型号开关电源概述开关模式电源（Switch Mode Power Supply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换
-
功率因数校正电路工作原理-功率因数校正专用型号参数
2019-08-17
功率因数校正功率因数校正简介PFC的英文全称为Power Factor Correction，意思是功率因数校正，功率因数指的是有效功率与总耗电量（视在功
-
P型MOS管-N型MOS管型号参数选型手册
2019-08-17
P型MOS管P型MOS管概述P型MOS管是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两
-
功率MOS管驱动电路图分析和功率MOS管保护电路设计解析
2019-08-16
功率MOS管,保护电路功率MOS概述与工作原理功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体）