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MOS管发热的处理方法介绍
2024-07-20
MOS管发热的处理方法介绍先从理论上分析MOS管选型是否合理，从MOS管的规格书上获取MOS管的参数，包括导通电阻、g、s极的导通电压等。在确保
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MOS管驱动电路,导通特性与开关管损失解析
2024-07-20
MOS管驱动电路,导通特性与开关管损失解析MOSFET管FET的一种（另一种是JEFT），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际
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解析MOS管功率损耗怎么测
2024-07-20
解析MOS管功率损耗怎么测做开关电源，常用功率MOSFET。一般而言，MOS管制造商采用RDS（ON）参数来定义导通阻抗;对ORing FET应用来说，RDS
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MOS管发热问题的解决方法介绍
2024-07-20
MOS管发热问题的解决方法介绍在进行开关电源测试中，除了用三用表测量控制电路其他器件的引脚电压，比较重要的是用示波器测量相关的电压波
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MOS管的开关条件解析
2024-07-20
MOS管的开关条件解析控制极电平为 ？ V 时MOS管导通（饱和导通）？控制极电平为 ？ V 时MOS管截止？不论N沟道还是P沟道MOS管，G
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MOS管与IGBT的区别详解
2024-07-19
MOS管与IGBT的区别详解在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似
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插件mos管怎么分方向介绍
2024-07-19
插件mos管怎么分方向介绍插件MOS管的方向可以通过查看其外形来判断，一般来说，插件MOS管的源极和漏极分别位于其两端，而控制电压的输入端
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mos管的原理和特点详解
2024-07-19
mos管的原理和特点详解MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。工作原理MOS管的工作状态主要取决于栅源电压Vgs。当Vgs
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MOS管的半导体结构详细介绍
2024-07-19
MOS管的半导体结构详细介绍一、 MOS管的半导体结构作为半导体器件，它的来源还是最原始的材料，掺杂半导体形成的 P 和 N 型物质。那么
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MOS管的快速开启与关闭,MOS管驱动电路设计介绍
2024-07-19
MOS管的快速开启与关闭,MOS管驱动电路设计介绍MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。 在多数情况下，
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影响mos管寿命的因素解析
2024-07-19
影响mos管寿命的因素解析MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为一种常见的电子元件，其寿命的长短对于电子产品的质量和可靠性都有着重
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MOS管,MOS管的参数解读
2024-07-19
MOS管的参数解读MOS管数据手册上的相关参数有很多，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。极限参数也叫绝对最大额定参