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MOS管导通损耗的计算方法介绍MOS 管计算导通损耗时,应该用平均电流IAVG还是用电流有效IRMS值呢?先定义下相关参数,以便于后续的计算.IO
MOS管是如何被静电击穿的MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电
MOS管并联的问题与解决方案介绍一 MOS管并联的问题以及解决方案对于NMOS而言,我们在G极施加正电压,会吸引负电荷从而形成导通沟道,从MOS
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