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N沟道MOS管饱和区,逻辑门电路详解
2022-11-19
N沟道MOS管饱和区,逻辑门电路详解导电沟道机理：如果外部不加控制电压就有导电沟道的是耗尽型。如果需要外部加控制电压才有导电沟道的是增
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共源级MOS管饱和区小信号增益解析
2022-11-19
共源级MOS管饱和区小信号增益解析作为放大器，其最重要的功能就是在大信号的支持下且保证一定精度时强调对小信号的增益。本文介绍一个公式
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MOS管,利用MOS管降低供电电压介绍
2022-11-19
MOS管,利用MOS管降低供电电压介绍如何降低供电电压下面电路就是利用一颗N沟道MOS管来实现上电瞬间输出高电压，核心板启动之后，输出低电压
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MOSFET测试,什么是双脉冲测试解析
2022-11-18
MOSFET测试,什么是双脉冲测试解析通过双脉冲测试来评估MOSFET体二极管的反向恢复特性，并确认MOSFET损耗情况。MOSFET体二极管的反向恢复特
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双脉冲测试电路原理及波形示意图介绍
2022-11-18
双脉冲测试电路原理及波形示意图介绍功率器件的很多动态参数可以从器件的数据手册中获取，但是器件手册只给出特定测试条件下的动态参数。当
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MOSFET失效模式,dv/dt失效是什么
2022-11-18
MOSFET失效模式,dv dt失效是什么dv dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造
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dV/dt对MOSFET动态性能的影响介绍
2022-11-17
dV dt对MOSFET动态性能的影响介绍MOSFET的dv dt是指开关瞬态过程中漏极－源极电压的变化率。如果dv dt太大，可能发生振铃，进而可能导致MOS
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MOSFET di/dt与dv/dt分开控制方法介绍
2022-11-17
MOSFET di dt与dv dt分开控制方法介绍功率 MOSFET 的开关过程功率 MOSFET 的开通过程中可以分为 4 个阶段，关断过程的基本原理和开
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米勒效应对MOSFET开关过程有什么影响吗
2022-11-17
米勒效应对MOSFET开关过程有什么影响吗下面以图10中电机控制电路来说明米勒效应对MOSFET开通关断过程的影响。在图10控制电路中，上管导通时
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MOS管选型,MOSFET应用方案解析
2022-11-16
MOS管选型,MOSFET应用方案解析MOSFET应用案例解析1、开关电源应用从定义上而言，这种应用需要MOSFET定期导通和关断。同时，有数十种拓扑可
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MOSFET的门源极并联电容介绍
2022-11-16
MOSFET的门源极并联电容介绍MOSFET门源极并联电容后，开关可靠性得到提升开关电路如下图：电路解释1 该电路用于高边开关，当MOS_ON 网络拉
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电路设计,过热保护电路图介绍
2022-11-16
电路设计,过热保护电路图介绍过热保护电路图（一）原理电路是以电机过热保护为例，由PTC热敏电阻和施密特电路构成的控制电路。图中，RT1、R