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场效应管的跨导gm理解与解析
2022-11-29
场效应管的跨导gm理解与解析指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。在SI单位中，西门子公司，用符号，S；1西门子=1安培每伏
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MOS管,MOS管沟道/反型层解析
2022-11-29
MOS管,MOS管沟道 反型层解析MOSFET的核心部分是栅极及其下面的MOS系统。MOSFET的工作就是通过控制MOS的半导体表面势阱——反型层（导电沟道
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共源级放大器偏置设计详解
2022-11-28
共源级放大器偏置设计详解共源级放大器的偏置电路设计一个合适的偏置电路设计是放大器工作的前提，偏置电路需要使MOSFET工作在饱和区。如图
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共源级放大电路的小信号图文解析
2022-11-28
共源级放大电路的小信号图文解析共源级放大电路小信号放大电路的小信号分析主要考虑三个参数，放大倍数、输入阻抗和输出阻抗，这三个参数直
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MOSFET-N沟道,P沟道MOS管的不同点介绍
2022-11-28
MOSFET-N沟道,P沟道MOS管的不同点介绍N沟道和P沟道MOS管区别1、芯片材质不同虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同，使得N沟道MOS管是通
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充电器电源变换电路的分析和应用介绍
2022-11-26
充电器电源变换电路的分析和应用介绍分析一个电源，往往从输入开始着手。220V交流输入，一端经过一个4007半波整流，另一端经过一个10欧的电
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电源延迟接通电路详解
2022-11-26
电源延迟接通电路详解在设计电子电路时 有时希望在合上开关后，电源延迟一会再接通。例如在有输出的设备上，希望设备工作稳定后再输出。在
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结型场效应管(JFET)的基础知识介绍
2022-11-26
结型场效应管(JFET)的基础知识介绍在N区两侧扩散两个P+区，形成两个PN结。两个P+区相连，引出栅极g。N体的上下两端分别引出漏极d和源极s。
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解析MOS管在功放中的应用,正负温管
2022-11-25
解析MOS管在功放中的应用,正负温管MOS管跟三极管的区别;MOS管是电压控制器件，它只要小量的Qg驱动电流就能动作了。而三极管是电流驱动器件
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MOSFET的开启过程详解图文介绍
2022-11-25
MOSFET的开启过程详解图文介绍MOSFET的开启过程在讲解MOSFET的开启过程之前，先说以下电容C的充放电过程，下面以1uF陶瓷电容为例，我们仿真
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模拟电路Gm-运放增益计算介绍
2022-11-25
模拟电路Gm-运放增益计算介绍先来看一个golden rule：gate 和drain的变换方向相反source 和drain的变换方向相同如果M1的gate是Vip，也就
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CMOS运放设计,关于电流镜解析
2022-11-24
CMOS运放设计,关于电流镜解析工作点小信号是大信号工作在固定偏置点下电路体现，那么为了得到我们需要的小信号性能，例如运放的增益，BW，G