传真:
18923864027
QQ:
709211280
地址:
深圳市福田区振中路84号爱华科研楼7层
DCDC上电时电压输出尖峰电压介绍DCDC上电时电压输出尖峰电压案例:在使用XL1509-5 0E时发现,当电源在上电瞬间会出现一个上升到 8V的尖峰
电源回沟现象详解电源回沟现象电源回沟是由于上电时序以及负载等导致的;但是信号线的回沟是信号完整性问题。电源回沟上图所示,正常情况下
电压源逆变器的死区现象介绍电压源逆变器的死区现象为了防止电压源逆变器的上下开关管同时导通,故在开关管的切换时存在一段上下桥臂均关闭
PWM死区简介,作用介绍什么是死区时间?PWM是脉冲宽度调制,在电力电子中,最常用的就是整流和逆变。这就需要用到整流桥和逆变桥。对三相电
PWM互补输出,死区时间计算介绍死区时间计算方式详解配置PWM互补输出的死区时间,本质上就是在配置TIM1高级控制定时器的刹车和死区寄存器(T
推挽变换器漏感电压尖峰详解推挽,在国内逆变行业无处没有它的身影,最多的还是车载逆变器。由于其电路简单,功率管数量少,占用PCB空间也
DCDC电源负载瞬态测试介绍下图是某DCDC转换器负载瞬态测试的典型波形,CH3为输出电压的AC分量,CH4为负载电流。注意到负载电流上升斜率与下
解决开关电路振铃现象,缓冲器设计介绍在高频开关变换器中,处理开关噪声是设计人员共同面临的挑战。特别是高边场效应晶体管导通时,低侧MOS
MOS管应用,原边振铃控制介绍反激电源是最常用的拓扑之一。其变压器漏感常会引起原边振铃,并导致会损坏 MOSFET 的电压尖峰。因此,通过变
MOSFET与IGBT的选型要点,应用解析IGBT与MOSFET分析、选型、应用MOSFET和IGBT均为集成在单片硅上的固态半导体器件,且都属于电压控制器件。
隔离式栅极驱动器的四个特性详解在功率电子(例如驱动技术)中,IGBT、MOSFET经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制,其主
双极性方法驱动栅极驱动器图文介绍如果一个特殊的功率器件需要正负栅极驱动,电路设计人员无需特别寻找可进行双极性操作的特殊栅极驱动器。