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平面MOSFET和超级结MOSFET的区别
2023-04-20
平面MOSFET和超级结MOSFET的区别功率晶体管近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率范围。下图表示处理各功率晶体
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平面MOSFET与超级结MOSFET的结构区别
2023-04-20
平面MOSFET与超级结MOSFET的结构区别基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on)，同时具有更
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功率器件结温与壳顶温度差异解析
2023-04-19
功率器件结温与壳顶温度差异解析开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器通常会使用功率器件，在设计过程中要测量功率MOSFET或IGBT结温，
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PCB设计,提高超级结MOSFET的性能介绍
2023-04-19
PCB设计,提高超级结MOSFET的性能介绍与传统平面MOSFET技术相比，超级结MOSFET可显著降低导通电阻和寄生电容。导通电阻的显著降低和寄生电容
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怎么确定MOSFET所需最小散热器尺寸
2023-04-19
怎么确定MOSFET所需最小散热器尺寸假定设计电路中的功率MOSFET的总计算功耗为10W。该器件的最高结温为150℃。考虑到结到外壳还存在温差，那
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关于MOSFET和散热器的图文解析
2023-04-18
关于MOSFET和散热器的图文解析功率MOSFET、功率BJT和功率二极管等功率器件，散热器对于提供散热非常重要。从名称本身来看，它将吸收功率器
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计算元器件的结温及热阻值的解析
2023-04-18
计算元器件的结温及热阻值的解析θJA是热阻的单位，用来表示空气到结温的阻值，单位是℃ W或Ｋ W。做电路设计都需要用到以下的公式来
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MOS管热阻,输入输出电容,开关时间解析
2023-04-18
MOS管热阻,输入输出电容,开关时间解析打开一个MOS管的SPEC，会有很多电气参数，本文分析一下热阻、电容和开关时间。热阻，英文Thermal res
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PMOS设计反向电压保护电路,原理介绍
2023-04-15
PMOS设计反向电压保护电路,原理介绍直流系统中，比如汽车电子设计中，当电池接反时，使用电池作为电源的电路可能会损坏，所以一般需要反向
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通过双脉冲测试确认MOSFET损耗解析
2023-04-15
通过双脉冲测试确认MOSFET损耗解析MOSFET体二极管的反向恢复特性与桥式电路损耗的关系在逆变器电路和Totem Pole型功率因数改善（PFC）电路
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LED电路,利用MOSFET提升效率降低噪声介绍
2023-04-15
LED电路,利用MOSFET提升效率降低噪声介绍LED照明电路（临界模式PFC＋DC DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪声的案例下面的电路摘自实际LED照
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开关损耗测试在电源调试中的重要作用介绍
2023-04-14
开关损耗测试在电源调试中的重要作用介绍MOSFET IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节。开关电源(SMPS)技术依托电源半导体开关设