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SiC MOSFET驱动电路设计基础与原理介绍
2023-06-25
SiC MOSFET驱动电路设计基础与原理介绍驱动电路设计基本要求SiC MOSFET对驱动电路的基本要求主要有:①驱动电流要足够大，以缩短米勒平台
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SiC MOSFET输出短路保护电路设计介绍
2023-06-25
SiC MOSFET输出短路保护电路设计介绍SiC MOSFET具有输入阻抗高、高频性能好、单个驱动功率小和无需并联均流控制等显著优势。随着 SiC M
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SiC MOSFET RC吸收电路设计,参数计算介绍
2023-06-21
SiC MOSFET RC吸收电路设计,参数计算介绍本文提出了一种 SiC MOSFET 的漏源极之间充放电型 RC吸收电路参数的计算方法。首先根据波形
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SiC MOSFET短路保护理解解析
2023-06-21
SiC MOSFET短路保护理解解析SiC MOSFET短路保护1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积，短路时候散热能力不及IGBT。2、IGBT短路后能
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MOSFET驱动器电路配置图文介绍
2023-06-21
MOSFET驱动器电路配置图文介绍MOSFET驱动器栅极驱动典型配置使用MOSFET驱动器时可以采用许多不同的电路配置。很多时候，由于高的峰值电流、
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MOSFET驱动器的功率损耗三个公式介绍
2023-06-20
MOSFET驱动器的功率损耗三个公式介绍MOSFET驱动器的功耗对MOSFET的栅极进行充电和放电需要同样的能量，无论充放电过程快或慢（栅极电压的上
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电路设计,MOSFET内部二极管应用逆变器介绍
2023-06-20
电路设计,MOSFET内部二极管应用逆变器介绍MOSFET体内二极管MOSFET中用内部二极管，保护器件免受因连接的电感性负载,产生的反向EMF尖峰的影
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MOSFET的寄生电容,静电容量解析
2023-06-20
MOSFET的寄生电容,静电容量解析MOSFET的静电容量在构造上，功率MOSFET都存在寄生电容。MOSFET的G(栅极)端子和其他的电极间由氧化层绝缘，在
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MOSFET的开关及其温度特性介绍
2023-06-17
MOSFET的开关及其温度特性介绍关于MOSFET的开关时间栅极电压ON OFF之后，MOSFET才ON OFF。这个延迟时间为开关时间。开关时间如表1所示种类
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电机PWM驱动,MOSFET寄生二极管功耗介绍
2023-06-17
电机PWM驱动,MOSFET寄生二极管功耗介绍本文分析一下使用有刷直流电机驱动器IC进行PWM驱动时，通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时的
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MOSFET的截止频率计算介绍
2023-06-17
MOSFET的截止频率计算介绍MOSFET的截止频率定义在MOS源极和漏极接交流地时，器件的小信号电流增益降至1的频率称为：transit frequency(fT)
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MOS管各种泄漏电流的原因解析
2023-06-17
MOS管各种泄漏电流的原因解析MOS 晶体管正在按比例缩小，以最大限度地提高其在集成电路内的封装密度。这导致氧化层厚度的减少，进而降低了