传真:
18923864027
QQ:
709211280
地址:
深圳市福田区振中路84号爱华科研楼7层
CMOS电平与TTL电平逻辑器件中,决定交接信号的规格是由作为DC电学特性的输入电压肯定的。输入电压存在两种规格:将输入断定为L的低电平输入
失效模式表14 2列出三种失效形式:①开路失效 ②漏电流/短路失效 ③特性劣化失效在器件制造中产生缘由 实践上要用电学实验的方法将器件的
存储器为了记忆、改写大量的数据,需求运用存储器。关于将数据写入、读出存储器单元的控制电路和输入输出电路,采用耗费功率低、容易集成化
基本逻辑电路CMOS IC基本逻辑电路列于表10 1。逻辑符号有两种表示法,一种是人们已经熟习的美国MIL-STD标准,另一种是最近展开起来的IEC J
从高电压向低电压变换的接口高电压向低电压变换的接口要点不是L/H的逻辑传输上的问题,而是在低的电压下流入接纳IC的输入部分的电流以及因
cmos输出容忍功能特点的作用资料输出的容忍功用如图13 22所示,在同一信号线上,①未运用时电源VDD连接处于OFF状态的IC的输出的场所;②
MOS开关开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中,开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能。开关同样也用于多路选择、调制
什么是MOS管MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效
简单场效应管功放场应管偶次谐波丰厚,听感颇有电子管的风味。而且其输出功率相比电子管能够做得很大,且本钱不高,所以前级配场效应管功放
一、场效应管是什么场效应管是场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))的简称。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属
MOS管的工作原理及表示符号根据导通沟道的载流子性质MOS管可分为NMOS管(即N沟道MOS管)与PMOS管(即P沟道MOS管)。NMOS管是指其导电沟道中
在半导体世界里,PN结是二极管发展演变的基因,利用PN结的单向导电性可开发出各种半导体产品,例如整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。