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MOSFET的基本结构
2020-02-18
MOSFET的基本结构由于在栅极与半导体之间有绝缘二氧化硅的关系，MOS管器件的输入阻抗非常高，此一特色使MOSFET在功率器件的应用相当引人注
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晶体管工作原理-晶体管分类-分析全面晶体管工作原理大全
2020-02-17
晶体管工作原理-晶体管分类-分析全面晶体管工作原理大全电力晶体管电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、
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驱动变压器电路解析
2020-02-16
驱动变压器电路解析驱动变压器的恢复在驱动MOS晶体管Q2导通期间的开始部分，D1和S2将导通。但是当Ql已经关断并且基—射结间的恢复电流已经
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mos管源漏极-mosfet管栅极电压-P型mosfet管的解析
2020-02-15
mos管源漏极-mosfet管栅极电压-P型mosfet管的解析MOSFET 管的最大栅极电压大部分MOSFET管指定了最大栅源极间电压(±20V）。假定超越
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MOS晶体管种类-mos管种类名称详情
2020-02-14
MOS晶体管种类-mos管种类名称详情MOS晶体管种类按沟道区中载流子类型分N沟MOS晶体管：衬底为P型，源漏为重掺杂的N＋，沟道中载流子为电子P
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cmos及pmos-pmos工艺产品介绍与原理详解
2020-01-17
cmos及pmos-pmos工艺产品介绍与原理详解目前，MOSFET是ULSI电路中最主要的器件，由于它可比其他品种器件减少至更小的尺寸 MOSFET的主要技
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CMOS的栅极-双极型晶体管 P沟道MOSFET图
2020-01-17
CMOS的栅极-双极型晶体管 P沟道MOSFET图图14 23(a)为- CMOS反相器，上方PMOS的栅极与下方NMOS的栅极相连，两种器件皆为加强型MOSFET；对P
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MOS管的参数详解
2020-01-17
MOS管的参数详解MOS管主要参数如下：1 开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范
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n-p沟道mos管工作原理
2020-01-17
n-p沟道mos管工作原理P沟道MOS管工作原理金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬
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导通瞬间基极驱动图解
2020-01-17
导通瞬间基极驱动图解导通瞬间基极过驱动峰值输入电流／bl为了保证迅速导通集电极电流，需要有一个持续时间很短且峰值约为导通期间平均值2
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单片开关电源的基本原理解析
2020-01-17
单片开关电源的基本原理解析单片MOS开关电源的典型应用电路如图1-13所示。由于单端反激式开关电源电路简单、所用元件少，输出与输人间有电
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CMOS-CMOS集成电路闩锁效应措施介绍
2020-01-17
CMOS-CMOS集成电路闩锁效应措施介绍cmos应用在CMOS应用中能同时将p沟道mos管与n沟道MOSFET制作在同一片芯片上．需要额外的掺杂及扩散步骤，