深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二极管、三极管、MOS管、桥堆
全国服务热线：18923864027
R
烜芯微推荐产品
ecommended
联系烜芯微
咨询热线：
18923864027
传真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田区振中路84号爱华科研楼7层
-
碳化硅MOSFET优势分析-具体有哪些优势详情
2020-05-15
碳化硅MOSFET优势分析-具体有哪些优势详情碳化硅MOSFET有哪些优势？（一）开关损耗碳化硅MOSFET有哪些优势，下图1是1200V HighSpeed3 IGB
-
MOS管源极与漏极可以互换吗-三极管与MOS做开关时有何区别
2020-05-15
MOS管源极与漏极可以互换吗-三极管与MOS做开关时有何区别场效应管D极与S极能否随意互换？场效应管可分为结型场效应管（简称JFET）和绝缘栅
-
MOS管击穿-MOS管击穿分析
2020-05-14
MOS管击穿-MOS管击穿分析MOS管击穿有哪些?场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G。先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，
-
为什么MOS管饱和区沟道夹断了还有电流与饱和区电流公式
2020-05-14
为什么MOS管饱和区沟道夹断了还有电流与饱和区电流公式随着漏源电压不断增大，当达到夹断电压时，沟道厚度在漏极处减薄为零，沟道在漏极处
-
如何理解场效应管参数-解读MOS管参数
2020-05-14
如何理解场效应管参数-解读MOS管参数场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（ju
-
碳化硅MOSFET驱动核与驱动要求和特性详解
2020-05-14
碳化硅MOSFET驱动核与驱动要求和特性详解碳化硅mosfet是什么在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET
-
MOS管半导体结构与如何制造详解
2020-05-14
MOS管半导体结构与如何制造详解MOS管作为半导体领域最基础的器件之一，无论是在IC 设计里，还是板级电路应用上，都十分广泛。MOS管一般是
-
MOS管半导体-MOS管选型和测量方法
2020-05-14
MOS管半导体-MOS管选型和测量方法MOS管的英文全称叫MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），即金属氧化物半导
-
MOS管电压型静电击穿分析
2020-05-14
MOS管电压型静电击穿分析今天主要讲MOS管电压型静电击穿特点。其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小
-
mos管漏电流和VGS的关系与MOSFET栅漏电流噪声分析
2020-05-13
mos管漏电流和VGS的关系与MOSFET栅漏电流噪声分析mos管漏电流与VGS呈指数关系至此，所考虑的MOS晶体管的工作，都是栅极—源极间电压VGS比阈
-
MOS管发热异常汇总-排查原因优化设备运行
2020-05-13
MOS管发热异常汇总-排查原因优化设备运行在电路设计的时候常常会发生MOS管发热的情况，而MOS管发热说明了它正在错误运行。为了避免MOS管发
-
碳化硅mosfet结构特征-应用优势和Si MOSFET对比分析
2020-05-13
碳化硅mosfet结构特征-应用优势和Si MOSFET对比分析什么是碳化硅mosfet在碳化硅mosfet的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比