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开关电源为什么几乎都选择增强型NMOS来作为开关
2024-12-21
开关电源为什么几乎都选择增强型NMOS来作为开关在实际应用中，开关电源或者控制电路设计中，几乎使用的是使用增强型的N-MOSFET来作为开关，
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三极管基极与发射极为什么要并联一个电阻
2024-12-21
三极管基极与发射极为什么要并联一个电阻对于这个问题，在网上查询了部分回答，基本都是可以让三极管可靠截止均流限流的回答。今天就以上回
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NMOS的防反接保护电路设计介绍
2024-12-21
NMOS的防反接保护电路设计介绍讲完PMOS，这次来看看NMOS的防反保护电路有什么不同？简单的栅极驱动电路设计，我们会使用NMOS来作防反电路，
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PMOS防反接保护电路设计介绍
2024-12-21
PMOS防反接保护电路设计介绍传统的防反保护电路，一般采用的都是PMOS管。将PMOS的G极接电阻到地（GND），当输入端连接正向电压时，电流流过
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怎么使用MOS管来实现分立式逻辑门
2024-12-21
怎么使用MOS管来实现分立式逻辑门早期时候的工艺仅仅支持NMOS来实现逻辑功能。如今采用NMOS+PMOS，是因为MOS管的占据面积远远小于电阻的面
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IGBT的正负电压控制,与0V的关断过程介绍
2024-12-21
IGBT的正负电压控制,与0V的关断过程介绍IGBT在栅极和发射极之间加入正电压就可以进行导通。不过，这个正电压至少需要高于阈值电压。如果栅
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五种MOS管泄漏电流与产生原因介绍
2024-12-20
五种MOS管泄漏电流与产生原因介绍本文介绍了五种MOS管在实际应用中存在的漏电流：反偏结泄漏电流、栅极致漏极泄漏电流、栅极直接隧穿电流、
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MOSFET栅极,源极的下拉电阻作用是什么
2024-12-20
MOSFET栅极,源极的下拉电阻作用是什么米勒电容：在栅极（G）和漏极（D）之间的一个寄生电容。当MOSFET关断时，米勒电容的存在，会使MOS管的
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栅极驱动IC式自举电路的设计介绍
2024-12-20
栅极驱动IC式自举电路的设计介绍自举式电路在高电压栅极驱动电路中是很有用的。当 VS 降低到 IC 电源电压 VDD 或下拉至地时 ，（低
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为什么栅极型推挽电路经用的是上N下P,不是上P下N型
2024-12-20
为什么栅极型推挽电路经用的是上N下P,不是上P下N型理论上来讲，上P下N型明明更有优势，为什么实际应用中推挽电路用的是上N下P型?左为上P下N
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四种常见的防反接电路设计介绍
2024-12-20
四种常见的防反接电路设计介绍电源的正负极一旦接反，就会导致很多电子元器件烧毁，其中主要的缘由是因为电流过大导致器件被击穿，因此实际
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晶体管BJT是怎么工作的
2024-12-20
晶体管BJT是怎么工作的晶体管如同一个电子开关，能够打开或者关闭电流。本期用实际例子来看看BJT（三极管）是怎么工作的。三极管（NPN）（