传真:
18923864027
QQ:
709211280
地址:
深圳市福田区振中路84号爱华科研楼7层
浅谈碳化硅mosfet驱动和硅IGBT的区别-应用与分类碳化硅mosfet本文主要讲硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别。我们先来看看碳化硅mosfet概述:
电路分析方法-电子工程师需知电路图是人们为了研究和工程的需要,用约定的符号绘制的一种表示电路结构的图形。通过电路图可以知道实际电路
n沟道与p沟道图片(结构、工作原理)两种最基本的MOS管n沟道和p沟道图片(结构、工作原理)两种最基本的MOS管n沟道和p沟道图片详解,mos管是
IGBT保护电路设计中的必知问题详解IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅
基于双变换不间断电源的全桥IGBT详情科技的飞速发展为人们的生活带来了便利,各种各样的电源开始充斥着人们的生活。其中不间断电源被大量使
IGBT模块的检测方法知识 以两单元为例:用模拟万用表测量静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷
MOSFET选择策略知识在70年代晚期推出MOSFET之前,晶闸管和双极结型晶体管(BJT)是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件,而MOSFET是电压控制器
变频器对电机的十种保护措施介绍我们都知道,变频器靠内部IGBT的开断来调整输出电源的电压和频率,根据电机的实际需要来提供其所需要的电源
超高压SiC和超共源共栅新应用不断涌现,这就需要有高压开关技术,而且与硅 IGBT 和 IGCT 技术相比,该技术的系统平衡成本和运行损耗要
IGBT直流稳压大功率电源设计之电路设计方案介绍直流大功率电源是目前工业、照明等领域中不可或缺的重要组成部分,也是很多工程师的重点设计
STC系列单片机的PCA PWM原理介绍大致工作原理:PCA是一个具有捕获功能的16定时器,高八位TH0,低八位TL0,CCON寄存器控制着定时器的计数
用于保护VFD IGBT逆变器的TVS二极管介绍在几乎所有的工业控制系统中,变频器(VFD) 逆变器通常安装在电机的前端,以便调节速度和节约能源。