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MOS管寄生参数的影响与其驱动电路要点介绍
2024-08-05
MOS管寄生参数的影响与其驱动电路要点介绍我们在应用MOS管和设计MOS管驱动的时候，有很多寄生参数，其中最影响MOS管开关性能的是源边感抗。
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以NMOS举例,只用万用表二极管档测量MOS管的好坏介绍
2024-08-05
以NMOS举例,只用万用表二极管档测量MOS管的好坏介绍以NMOS举例，只用万用表二极管档测量MOS管的好坏。NMOS的D极和S极之间有一个寄生二极管
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MOS管构成的缓冲器Buffer与漏极开路门OD门的详解
2024-08-05
MOS管构成的缓冲器Buffer与漏极开路门OD门的详解MOS管构成的缓冲器Buffer和漏极开路们OD门是数字电路非常重要的概念，怎么构成的；反相器，
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怎么计算MOS管的开关电路
2024-08-05
怎么计算MOS管的开关电路1 源极接地型开关如下是NMOS和PMOS的源极接地型开关，所谓源极接地型，即NMOS的源极直连GND，PMOS的源极直连VDD。
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三极管与MOS管在模拟电路上的区别介绍
2024-08-03
三极管与MOS管在模拟电路上的区别介绍MOS管和三极管在功能上有什么区别？这两种元件本身就可以看作一个基本单元，一个独立的器件，就算拆开
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MOS管驱动电路功率损耗的计算方法介绍
2024-08-03
MOS管驱动电路功率损耗的计算方法介绍当我们在设计任意一个开关电路的时候，功耗都是一个重要的考量，对于MOS管驱动电路而言更是如此，在一
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MOS管,IGBT米勒平台的解析
2024-08-03
MOS管,IGBT米勒平台的解析米勒平台的形成与其材料、制造工艺息息相关，当GE之间电压大于阈值点的时候，管子的CE电压开始下降，但是下降的速
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MOS管的工作状态与NMOS管的I/V特性曲线介绍
2024-08-03
MOS管的工作状态与NMOS管的I V特性曲线介绍MOS管的工作状态分为以下4个区域，以NMOS为例：(1)截止区：当VGS(2)线性区：当VGS>Vth, 且0此时
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MOS管的开关损耗计算介绍
2024-08-03
MOS管的开关损耗计算介绍开关损耗计算1、CCM 模式开关损耗CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式，DCM 模式
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关于MOS管功率选型解析
2024-08-03
关于MOS管功率选型解析MOS管有两大类型：N 沟道和 P 沟道。在功率系统中，MOS管可被看成电气开关。当在 N 沟道MOS管的栅极和源极间加
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MOS管驱动的电容自举电路工作原理和器件选型介绍
2024-08-03
MOS管驱动的电容自举电路工作原理和器件选型介绍说到升压电路，大部分人第一反应是BOOS升压电路，今天我们就介绍一下成本更低的电容自举升
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MOS管沟道夹断了为什么还能将恒定载流子发送过去
2024-08-02
MOS管沟道夹断了为什么还能将恒定载流子发送过去对于MOS管这样一个三端口器件，先不看源极，就看栅极和漏极。可以这样直观的理解栅极电压Vg