传真:
18923864027
QQ:
709211280
地址:
深圳市福田区振中路84号爱华科研楼7层
MOS管,MOS管串联介绍MOS管串联I-V曲线本来应该一样,但是由于effL,PSE的存在,以及间接导致的DIBL,都会让这两个曲线有区别长沟道器件,两
MOS管,各种MOS管的介绍在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种。我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造。
ESD器件防护的原理介绍一、ESD器件的主要性能参数1、最大工作电压(Max Working Voltage)允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值
TVS管与ESD有什么区别介绍TVS管和ESD管都是保护器件,但是作用很不一样。下面介绍:1 作用不一样TVS管是瞬态抑制二极管,具有很快的响应能
集成稳压电源的分类与特性介绍一、集成稳压电源的分类线性稳压器因其内部调整管与负载相串联且调整管工作在线性工作区而得名。优点是: 稳
24V转5V稳压芯片,低功耗降线性稳压器介绍PW6206系列是一个高精度,高输入电压低静态电流,高速,低功耗降线性稳压器具有高纹波抑制。输入电
AMS1117稳压芯片,AMS1117稳压芯片知识介绍AMS1117是一个正向低压降稳压器,在1A电流下压降为1 2V。AMS1117有两个版本:固定输出版本和可调版
三端集成稳压器的相关问题解析78L05 78M05 79L0578L05管脚图引脚图及参数资料1)78L05和78M05的区别?三端稳压集成电路,L和M表示最大输出
电容的去耦特性知识理解电容去耦是电源完整性(Power Integrity,PI)设计里面很重要的一部分,而PI设计则是为了保证电源分配网络(Power
去耦电容与旁路电容的详解在电子电路中,去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了。对于同一个电路来
关于电源去耦的知识解析了解基于电源抑制参数的去耦需求解析本文将讨论如何通过电源去耦来保持电源进入集成电路(IC)的各点的低阻抗。诸如
单片机6N137高速光耦的电路图解下图可以看到3144霍尔传感器内部组成,输出信号处于三极管的集电极,当进入磁场后,output与GND导通之前使用