烜芯微生产XXWS4866场效应管,提供XXWS4866的参数规格书,XXWS4866中文资料与XXWS4866场效应管的引脚图
XXWS4866场效应管参数具体如下：
极性：双N沟通
Power Dissipation(w)功耗：31.3W
Continuous Drain Current ID(A)持续漏极电流：33A
Drain-Source Voltage VDS(V)漏源极电压：40V
Gate-Source Voltage VGS(V)栅源电压：±20V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压：1.2V~ 2.4V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压：1.2V~ 2.4V
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=6A,VGS=10V：Typ 13mΩ Max 15mΩ
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 19mΩ Max 23mΩ
Junction and Storage Temperature Range ：结和储存温度范围：-55 to 150℃
XXWS4866场效应管封装为：PDFN3*3-8L
作用与应用
XXWS4866场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中，它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动，实现对负载的精确控制。XXWS4866广泛应用于以下领域：
电源管理：XXWS4866可用作低压降开关，用于电源管理电路中的电池充放电控制、DC-DC变换器等。
信号放大：在音频放大器和低频放大器中，XXWS4866可以作为信号放大的关键部件。
开关控制：在各种开关电路中，如LED灯控制、电机控制等，XXWS4866能提供高效的开关控制功能。
模拟开关：在模拟电路中，XXWS4866可以作为开关管，用于模拟信号的控制和处理。
充电管理：在移动设备和电动车等充电管理系统中，XXWS4866用于充电过程中的电池保护和充电控制。
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QQ：709211280
