烜芯微生产XXW3419A场效应管,提供XXW3419A的参数规格书,XXW3419A中文资料与XXW3419A场效应管的引脚图
XXW3419A场效应管参数具体如下:
极性:PNP
Power Dissipation(w)功耗:21.5W
Continuous Drain Current ID(A)持续漏极电流:-55A
Drain-Source Voltage VDS(V)漏源极电压:-30V
Gate-Source Voltage VGS(V)栅源电压:±20V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压:-1.0~-2.5V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压:-1.0~-2.5V
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=-12A,VGS=-10V:Typ 8.5mΩ Max 11mΩ
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=-8A,VGS=-4.5V:Typ 13mΩ Max 18mΩ
Junction and Storage Temperature Range :结和储存温度范围:-55 to 150℃
XXW3419A场效应管封装为:PDFN3*3-8L
作用与应用
XXW3419A场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中,它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动,实现对负载的精确控制。XXW3419A广泛应用于以下领域:
电源管理:XXW3419A可用作低压降开关,用于电源管理电路中的电池充放电控制、DC-DC变换器等。
信号放大:在音频放大器和低频放大器中,XXW3419A可以作为信号放大的关键部件。
开关控制:在各种开关电路中,如LED灯控制、电机控制等,XXW3419A能提供高效的开关控制功能。
模拟开关:在模拟电路中,XXW3419A可以作为开关管,用于模拟信号的控制和处理。
充电管理:在移动设备和电动车等充电管理系统中,XXW3419A用于充电过程中的电池保护和充电控制。
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