问题一、双N沟道mos buck电路上电烧mos管该如何修改？
48V转13V非隔离buck直流电路。现在设定好25A负载后上电测试会出现板子上其中一个mos烧坏的现象，把坏的mos换了再测就不会再出现问题。
我用示波器测良品mos DS电压最高是64V，低于手册标注的最高80V，栅极开启电压15V，低于手册标注的最高25V，mos开关的时间（上升沿和下降沿）够短，产品有限流保护，30A时电压会被拉很低9-10V。
请问该怎么去测量和分析
问题二、mos管并联的驱动电阻如何配置，开启电压如何确定？
mos管并联可以增大电流能力，并联MOS管需要注意mos管的哪些特性，比如开通关断延迟时间，开启电压？
上面的连接正确吗？
上期解答：
上期解答一、只有开关器件截止的时候会，因为存在这个漏感，一旦截止就会产生反电动势，MOS这样的尤其容易被击穿。如图的漏感，简单理解就是，在导通时的感应电压是上正下负，而且此时的MOS管导通，所以这个上正下负的漏感电压就不会对MOS造成损坏。
上期解答二、MOS管导通后，反向时主要是流过沟道，因为体二极管本身有比较大的二极管压降，约为0.7V，沟道相当于把体二极管给短路了。
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