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8N04 SOT-89封装参数：点击查看
8N04场效应管参数具体如下：
封装类型：SOT-89
极性：NPN
漏极电流：8A
功率耗散：2W
反向传输电容Crss：58pF
栅极源极击穿电压：±20V
击穿电压：40V
存储温度：-55℃~+150℃
引脚数：3Pin
导通电阻ID=8A,VGS=10V：Typ 19mΩ Max 24mΩ
导通电阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 25mΩ Max 35mΩ
工作温度：-55℃~+150℃
安装类型：SMT
二、作用与应用
8N04场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中，它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动，实现对负载的精确控制。由于其出色的电气性能，8N04广泛应用于以下领域：
电源管理：8N04可用于电源管理，如电源转换和电池保护。
高保真放大器：在音频放大器中，8N04可以提供高保真的音质放大。
步进电机驱动器：适用于步进电机的驱动控制。
闪光灯驱动器：在闪光灯驱动器中，8N04可以控制闪光灯的亮度和电源管理。
汽车电子设备：8N04也适用于汽车电子设备中的电源管理和电机控制。
三、SOT-89封装特点
8N04采用SOT-89封装，这是一种功率封装形式，具有以下特点：
散热性能好：SOT-89封装具有良好的散热性能，适合高功率应用。
耐压高：SOT-89封装的8N04场效应管通常具有较高的耐压值，适合高压应用。
封装紧凑：SOT-89封装紧凑，适合空间受限的应用。
引脚布局：SOT-89封装通常有3个引脚，布局合理，便于焊接和连接。
8N04场效应管/SOT-89封装尺寸：
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