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80N03 TO-252封装参数：点击查看
80N03场效应管参数具体如下：
封装类型：TO-252
极性：NPN
极性：NPN
漏极电流：80A
功率耗散：42W
反向传输电容Crss：215pF
栅极源极击穿电压：±20V
击穿电压：30V
存储温度：-55℃~+150℃
引脚数：3Pin
导通电阻ID=30A,VGS=10V：Typ 4mΩ Max 5.3mΩ
导通电阻ID=20A,VGS=4.5V：Typ 6.7mΩ Max 9.4mΩ
工作温度：-55℃~+150℃
安装类型：SMT
二、作用与应用
80N03场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中，它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动，实现对负载的精确控制。由于其出色的电气性能，80N03广泛应用于以下领域：
电源管理：80N03可用于开关电源的开关控制部分，提高电源转换效率。
信号放大：在信号放大电路中，80N03通过其高性能和可调控的电流特性，实现对信号的精准放大。
电机驱动：适用于低电压、低电流的小型伺服电机控制或功率MOSFET门驱动器。
逻辑电路：80N03可用于实现数字逻辑功能，如与、或、非等逻辑门。
负载驱动：80N03可用于驱动小功率负载，如继电器、LED等。
三、TO-252封装特点
80N03采用TO-252封装，这是一种表面贴装技术（SMT）封装，具有以下特点：
封装结构：TO-252封装属于表面贴装技术（SMT）封装之一，也被称为D-Pak封装。TO-252具有更小的封装尺寸和高功率密度，能够有效节省电路板空间，适合于大规模集成电路的应用。
优异的导电性能：低压MOS管TO-252最显著的特点之一是其出色的导电性能。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在低电压下的高效率运行，从而减少了能量的损耗。这使得它在电源管理和负载开关应用中非常受欢迎。
高散热性能：MOSFET在高负载运行时容易产生大量热量，TO-252封装设计了更大的接地面积，更有利于散热管理。通过金属背面的散热，提高了MOS管在高功率应用中的可靠性和稳定性。
耐压与耐流特性：低压MOS管TO-252通常具有较高的耐压和耐流特性，这是它能够在严酷的工业环境中长期稳定运行的基础。
80N03场效应管 TO-252封装尺寸：
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