AON3419场效应管参数,AON3419 32A 30V 封装DFN5×6
AON3419场效应管参数,AON3419规格书,AON3419引脚图,AON3419 32A 30V P沟道 封装DFN5×6
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AON3419 PDFN5×6-8L封装参数：点击查看
AON3419场效应管参数具体如下：
封装类型：PDFN3×3-8L
极性：PNP
极性：PNP
漏极电流：-32A
功率耗散：29W
反向传输电容Crss：134pF
栅极源极击穿电压：±20V
击穿电压：-30V
存储温度：-55℃~+150℃
引脚数：8Pin
导通电阻ID=-15A,VGS=-10V：Typ 16mΩ Max 20mΩ
导通电阻ID=-10A,VGS=-4.5V：Typ 22mΩ Max 32mΩ
工作温度：-55℃~+150℃
安装类型：SMT
二、作用与应用
AON3419场效应管具有高输入阻抗、低输出阻抗、低噪声、低功耗等特点，广泛应用于放大、开关、调节等电路中，AON3419广泛应用于以下领域：
电源开关：AON3419可用作电源开关，用于控制电路中的电流流动。它的高电流容忍能力和低导通电阻使其在高功率应用中非常有效。
电机驱动：在电机驱动器中，这种P沟道FET可用于控制电机的启停和速度控制，特别是在需要高电流的应用中，如电机控制器。
电源逆变器：在逆变器应用中，它可以用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、UPS系统等。
电源管理：可以用于电源管理模块，帮助控制电源的开关和稳定输出电压
三、PDFN5×6-8L封装特点
AON3419采用PDFN3×3-8L封装，这是一种表面贴装技术（SMT）封装，具有以下特点：
1.低电感、低电阻：由于去除了传统引脚结构，DFN封装具有更低的电感和电阻，有助于提高信号传输的效率和速度。
2.良好的电气性能：DFN封装在高频和高速应用中表现出色，有利于提升器件的电气性能和信号完整性。
3.优异的机械强度：基于其结构设计，DFN封装能够提供较高的机械强度和抗冲击性。
4.紧凑的设计：DFN封装占用更小的PCB面积，考虑到成本、体积各方面的因素，DFN封装将会是未来几年的一个增长点，发展前景较为乐观。
AON3419场效应管 PDFN5×6-8L封装尺寸：
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