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  • XXW3019A场效应管参数,XXW3019A 55A 30V P沟道 DFN5×6
    • 发布时间:2024-11-02 17:56:36
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    XXW3019A场效应管参数,XXW3019A 55A 30V P沟道 DFN5×6
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    XXW3019A PDFN5×6-8L封装参数:点击查看XXW3019A
    XXW3019A场效应管参数具体如下:
    XXW3019A
    封装类型:PDFN5×6-8L
    极性:PNP
    漏极电流:-55A
    功率耗散:21.5W
    反向传输电容Crss:319pF
    栅极源极击穿电压:±20V
    击穿电压:-30V
    存储温度:-55℃~+150℃
    引脚数:8Pin
    导通电阻ID=-12A,VGS=-10V:Typ 8.3mΩ Max 11mΩ
    导通电阻ID=-8A,VGS=-4.5V:Typ 13mΩ Max 18mΩ
    工作温度:-55℃~+150℃
    安装类型:SMT
    二、作用与应用
    XXW3019A场效应管具有高输入阻抗、低输出阻抗、低噪声、低功耗等特点,广泛应用于放大、开关、调节等电路中,XXW3019A广泛应用于以下领域:
    电源开关:XXW3019A可用作电源开关,用于控制电路中的电流流动。它的高电流容忍能力和低导通电阻使其在高功率应用中非常有效。
    电机驱动:在电机驱动器中,这种P沟道FET可用于控制电机的启停和速度控制,特别是在需要高电流的应用中,如电机控制器。
    电源逆变器:在逆变器应用中,它可以用于将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能逆变器、UPS系统等。
    电源管理:可以用于电源管理模块,帮助控制电源的开关和稳定输出电压
    三、PDFN5×6-8L封装特点
    XXW3019A采用DFN5×6封装,这是一种微型封装形式,具有以下特点:
    小型化设计:DFN5×6封装的尺寸非常小,可以节省电路板上的空间,适用于小型电子器件的应用。
    高密度引脚:DFN5×6封装的引脚密度很高,可以有效地减少电路板的占用空间,提高器件的性能。
    优良的散热性能:DFN5×6封装的底部有金属散热接触面,可以有效地散热,提高器件的工作稳定性。
    焊接可靠:DFN5×6封装可以通过表面安装焊接的方式进行连接,能够有效地减少焊接点的数量,提高焊接可靠性。
    XXW3019A场效应管PDF5×6-8L封装尺寸:XXW3019A
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