XXW302D场效应管参数,XXW302D 30A 30V 双N沟道 DFN3×3
XXW302D场效应管参数,XXW302D规格书,XXW302D引脚图,XXW302D 30A 30V 双N沟道 封装DFN3×3
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XXW302D PDFN3×3-8L封装参数：点击查看
XXW302D场效应管参数具体如下：
封装类型：PDFN3×3-8L
极性：双N沟道
极性：双N沟道
漏极电流：30A
功率耗散：1.5W
反向传输电容Crss：98pF
栅极源极击穿电压：±20V
击穿电压：30V
开启电压(VGS(th))：1.0~2.5V
开启电压(VGS(th))：1.0~2.5V
存储温度：-55℃~+150℃
引脚数：8Pin
导通电阻ID=10A,VGS=10V：Typ 10mΩ Max 14mΩ
导通电阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 18mΩ Max 25mΩ
工作温度：-55℃~+150℃
安装类型：SMT
二、作用与应用
1.电源管理：XXW302D可用于电源管理电路中，如DC-DC转换器和电源开关，提供高效的电能转换和控制。
2.电机控制：在电机控制系统中，XXW302D可以作为驱动器件，控制电机的启停和转速，实现高效的能量管理。
3.电池管理系统：XXW302D也常用于电池管理系统中，确保电池在充电和放电过程中的安全和稳定。
4.通信设备：在通信设备中，XXW302D可以作为信号放大和处理的关键部件，提供稳定的信号传输。
三、封装特点
XXW302D采用PDFN3×3-8L封装，这是一种表面贴装技术（SMT）封装，具有以下特点：
1.低电感、低电阻：由于去除了传统引脚结构，DFN封装具有更低的电感和电阻，有助于提高信号传输的效率和速度。
2.良好的电气性能：DFN封装在高频和高速应用中表现出色，有利于提升器件的电气性能和信号完整性。
3.优异的机械强度：基于其结构设计，DFN封装能够提供较高的机械强度和抗冲击性。
4.紧凑的设计：DFN封装占用更小的PCB面积，考虑到成本、体积各方面的因素，DFN封装将会是未来几年的一个增长点，发展前景较为乐观。
XXW302D场效应管PDFN3×3-8L封装尺寸：
XXW302D场效应管PDFN3×3-8L封装尺寸：
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