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12N02/SOP-8/SOIC-8封装参数：点击查看
12N02场效应管参数具体如下：
12N02场效应管极性：NPN
开启电压VGS：min 0.5V typ 0.75V max 1.2V
开启电压VGS：min 0.5V typ 0.75V max 1.2V
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：20V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±12V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：12A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：3W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：0.86W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=15A,VGS=4.5V：Typ 8mΩ Max 11.2mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=10A,VGS=2.5V：Tpy 11.7mΩ Max 17.5mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
12N02场效应管SOP-8/SOIC-8封装尺寸：
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