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10N02/SOP-8/SOIC-8封装参数：点击查看
10N02场效应管参数具体如下：
10N02场效应管极性：NPN
开启电压VGS：min 0.45V typ 0.7V max 1V
开启电压VGS：min 0.45V typ 0.7V max 1V
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：20V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±12V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：10A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：2.25W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 13mΩ Max 20mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=4.7A,VGS=2.5V：Tpy 18mΩ Max 30mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
10N02场效应管SOP-8/SOIC-8封装尺寸：
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