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8814A/TSSOP8封装参数：点击查看
8814A场效应管芯片参数具体如下：
极性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：20V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±12V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：8A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：1.63W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=3.5A,VGS=4.5V： Typ 10mΩ Max 13mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=3.5A,VGS=2.5V：Typ 13mΩ Max 17mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
8814A场效应管TSSOP8封装尺寸：
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