XXW3030场效应管,N+PMOS管XXW3030参数资料,XXW3030引脚图,XXW3030中文资料规格书PDF
XXW3030 TO252-4封装参数：点击查看
XXW3030场效应管参数具体如下：
极性：NPN+PNP
NPN极参数如下:
NPN极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：30V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：30A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：15W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=10A,VGS=10V： Typ 9.5mΩ Max 13mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 16mΩ Max 22.5mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
PNP极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：-30V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：-30A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：21.3W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-10A,VGS=-10V： Typ 20mΩ Max 25mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-5A,VGS=-4.5V：Typ 31mΩ Max 40mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
XXW3030场效应管TO252-4L封装尺寸：
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