XXW3012场效应管,N+PMOS管XXW3012参数资料,XXW3012引脚图,XXW3012中文资料规格书PDF
XXW3012 TO252-4封装参数：点击查看
XXW3012场效应管参数具体如下：
极性：NPN+PNP
NPN极参数如下:
NPN极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：30V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：12A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：10.8W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=10V： Typ 15mΩ Max 20mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=3A,VGS=4.5V：Typ 21mΩ Max 29mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
PNP极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：-30V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：-12A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：10.8W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-4.1A,VGS=-10V： Typ 35mΩ Max 50mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-3A,VGS=-4.5V：Typ 49mΩ Max 75mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
XXW3012场效应管TO252-4L封装尺寸：
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