XXW4012场效应管,N+PMOS管XXW4012参数资料,XXW4012引脚图,XXW4012中文资料规格书PDF
XXW4012 TO252-4封装参数：点击查看
XXW4012场效应管参数具体如下：
极性：NPN+PNP
NPN极参数如下:
NPN极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：40V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：25A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：25W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=8A,VGS=10V： Typ 17mΩ Max 22mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 25mΩ Max 35mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
PNP极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：-40V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：-25A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：31.3W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-8A,VGS=-10V： Typ 32mΩ Max 45mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-4A,VGS=-4.5V：Typ 47mΩ Max 70mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
XXW4012场效应管TO252-4L封装尺寸：
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