XXW6020场效应管,N+PMOS管XXW6020参数资料,XXW6020引脚图,XXW6020中文资料规格书PDF
XXW6020 TO252-4封装参数：点击查看
XXW6020场效应管参数具体如下：
极性：NPN+PNP
NPN极参数如下:
NPN极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：60V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：20A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：50W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=15A,VGS=10V： Typ 30mΩ Max 40mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=7A,VGS=4.5V：Typ 35mΩ Max 45mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
PNP极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：-60V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：-15A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：50W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-10A,VGS=-10V： Typ 70mΩ Max 80mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-5A,VGS=-4.5V：Typ 85mΩ Max 100mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
XXW6020场效应管TO252-4L封装尺寸：
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