您好!欢迎光临烜芯微科技品牌官网!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二极管、三极管、MOS管、桥堆

全国服务热线:18923864027

  • 热门关键词:
  • 桥堆
  • 场效应管
  • 三极管
  • 二极管
  • 30G20,30G20场效应管参数,N+P场效应管30G20,30G20代换
    • 发布时间:2024-02-21 20:14:45
    • 来源:
    • 阅读次数:
    30G20,30G20场效应管参数,N+P场效应管30G20,30G20代换
    30G20场效应管,N+PMOS管30G20参数资料,30G20引脚图,30G20中文资料规格书PDF
    30G20
    30G20 PDFN5*6封装参数:点击查看30G20 场效应管
    30G20场效应管参数具体如下:
    30G20 场效应管
     
    极性:NPN+PNP
    NPN极参数如下:
    Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:30V
    Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:16A
    Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃:15W
    Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃:W
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=10A,VGS=10V: Typ 14mΩ Max 20mΩ
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=6A,VGS=4.5V:Typ 20mΩ Max 25mΩ
    Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
    PNP极参数如下:
    Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:-30V
    Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:-14A
    Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃:21.3W
    Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃:W
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-8A,VGS=-10V: Typ 25mΩ Max 30mΩ
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-6A,VGS=-4.5V:Typ 30mΩ Max 35mΩ
    Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
    30G20场效应管PDFN5*6-8L封装尺寸:
    30G20 场效应管
    〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管,三极管,MOS管,桥堆等,20年,工厂直销省20%,上万家电路电器生产企业选用,专业的工程师帮您稳定好每一批产品,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系下方的联系号码或加QQ/微信,由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍
     
    联系号码:18923864027
    QQ:709211280
    相关阅读