20G10,20G10场效应管参数,N+P场效应管20G10,20G10代换
20G10场效应管,N+PMOS管20G10参数资料,20G10引脚图,20G10中文资料规格书PDF
20G10场效应管,N+PMOS管20G10参数资料,20G10引脚图,20G10中文资料规格书PDF
20G10 PDFN5*6封装参数：点击查看
20G10场效应管参数具体如下：
极性：NPN+PNP
NPN极参数如下:
NPN极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：100V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：15A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：3.5W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=10V： Typ 65mΩ Max 90mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=3A,VGS=4.5V：Typ 75mΩ Max 105mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
PNP极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：-100V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：-7A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：3.5W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-3A,VGS=-10V： Typ 180mΩ Max 220mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-2A,VGS=-4.5V：Typ 210mΩ Max 255mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
20G10场效应管PDFN5*6-8L封装尺寸：
〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管，三极管，MOS管，桥堆等，20年，工厂直销省20%，上万家电路电器生产企业选用，专业的工程师帮您稳定好每一批产品，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系下方的联系号码或加QQ/微信，由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍
联系号码：18923864027
QQ：709211280