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10G10/SOP-8/SOIC-8封装参数：点击查看
10G10场效应管参数具体如下：
极性：NPN+PNP
NPN极参数如下:
NPN极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：100V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：10A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：2.5W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=10V： Typ 70mΩ Max 90mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=3A,VGS=4.5V：Typ 75mΩ Max 105mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
PNP极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：-100V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：-5A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：2.5W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-3A,VGS=-10V： Typ 180mΩ Max 220mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-2A,VGS=-4.5V：Typ 210mΩ Max 255mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
10G10场效应管SOP-8/SOIC-8封装尺寸：
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