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![10G10 场效应管](http://www.ejiguan.cn/uploadfile/2024/0220/20240220045750730.jpg)
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极性:NPN+PNP
NPN极参数如下:
NPN极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:100V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:10A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃:2.5W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃:W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=10V: Typ 70mΩ Max 90mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=3A,VGS=4.5V:Typ 75mΩ Max 105mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
PNP极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:-100V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:-5A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃:2.5W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃:W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-3A,VGS=-10V: Typ 180mΩ Max 220mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-2A,VGS=-4.5V:Typ 210mΩ Max 255mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
10G10场效应管SOP-8/SOIC-8封装尺寸:
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