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10G04/SOP-8/SOIC-8封装参数：点击查看
10G04场效应管参数具体如下：
极性：NPN+PNP
NPN极参数如下:
NPN极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：40V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：10A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：3.4W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=10A,VGS=10V： Typ 17mΩ Max 20mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 22mΩ Max 27mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
PNP极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：-40V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：-10A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：7.5W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-8A,VGS=-10V： Typ 34mΩ Max 44mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-5A,VGS=-4.5V：Typ 46mΩ Max 62mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃
10G04场效应管SOP-8/SOIC-8封装尺寸：
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