10G04,10G04场效应管参数,N+P场效应管10G04,10G04代换
10G04场效应管,N+PMOS管10G04参数资料,10G04引脚图,10G04中文资料规格书PDF
10G04场效应管,N+PMOS管10G04参数资料,10G04引脚图,10G04中文资料规格书PDF
![10G04 场效应管](http://www.ejiguan.cn/uploadfile/2024/0220/20240220044959447.jpg)
10G04/SOP-8/SOIC-8封装参数:点击查看![10G04 场效应管](http://www.ejiguan.cn/uploadfile/2021/0809/20210809054154563.jpg)
![10G04 场效应管](http://www.ejiguan.cn/uploadfile/2021/0809/20210809054154563.jpg)
极性:NPN+PNP
NPN极参数如下:
NPN极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:40V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:10A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃:3.4W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃:W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=10A,VGS=10V: Typ 17mΩ Max 20mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=5A,VGS=4.5V:Typ 22mΩ Max 27mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
PNP极参数如下:
Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:-40V
Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±20V
Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:-10A
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃:7.5W
Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃:W
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-8A,VGS=-10V: Typ 34mΩ Max 44mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=-5A,VGS=-4.5V:Typ 46mΩ Max 62mΩ
Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
10G04场效应管SOP-8/SOIC-8封装尺寸:
![10G04 场效应管](http://www.ejiguan.cn/uploadfile/2022/1123/20221123060632353.png)
〈烜芯微/XXW〉专业制造二极管,三极管,MOS管,桥堆等,20年,工厂直销省20%,上万家电路电器生产企业选用,专业的工程师帮您稳定好每一批产品,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以直接联系下方的联系号码或加QQ/微信,由我们的销售经理给您精准的报价以及产品介绍
联系号码:18923864027
QQ:709211280