650SJ32,650SJ32超洁MOS管,11A/650V TO-252

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650SJ32 TO-252封装参数：点击查看

650SJ32超洁MOS管参数具体如下：

极性：NPN

Drain-Source Voltage 漏源电压Vds：650V

Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs：±30V

Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃：11A

Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃：85W

Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃：W

Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=2A,VGS=10V： Typ 0.35Ω Max 0.39Ω

Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=Typ Ω Max Ω

Junction and Storage Temperature Range 温度范围：-55~+150℃

650SJ32超洁MOS管TO-252封装尺寸：

650SJ32超洁MOS管/TO-220封装尺寸：

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