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  • 650SJ520,650SJ520超洁MOS管,8A/650V TO-252
    • 发布时间:2024-02-19 16:29:53
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    650SJ520 TO-252封装参数:点击查看650SJ520 超洁MOS管
    650SJ520超洁MOS管参数具体如下:
    650SJ520 超洁MOS管
    极性:NPN
    Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:650V
    Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±30V
    Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:8A
    Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=25℃:57W
    Power Dissipation 功率损耗Pd Ta=70℃:W
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=1.5A,VGS=10V: Typ 0.5Ω Max 0.6Ω
    Static Drain-Source On-Resistance 导通电阻ID=Typ Ω Max Ω
    Junction and Storage Temperature Range 温度范围:-55~+150℃
    650SJ520超洁MOS管TO-252封装尺寸:
    650SJ520 超洁MOS管
    650SJ520超洁MOS管/TO-220封装尺寸:
    650SJ520 超洁MOS管
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