烜芯微生产BSS84场效应管,提供BSS84的参数规格书,BSS84中文资料与BSS84场效应管的引脚图
BSS84场效应管参数具体如下：
极性：PNP
Power Dissipation(w)功耗：225mW
Continuous Drain Current ID(A)持续漏极电流：-0.13A
Drain-Source Voltage VDS(V)漏源极电压：-50V
Gate-Source Voltage VGS(V)栅源电压：±20V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压：-0.9~-2V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压：-0.9~-2V
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=-0.1A,VGS=-10V：Typ 1.7Ω Max 8Ω
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=-0.1A,VGS=-5V：Typ 1.9Ω Max 10Ω
Junction and Storage Temperature Range ：结和储存温度范围：-55 to 150℃
BSS84场效应管封装为：SOT-23
作用与应用
BSS84场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中，它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动，实现对负载的精确控制。BSS84广泛应用于以下领域：
电源管理：BSS84可用于电源管理模块中，提供高效能的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。
低功耗电子设备：适用于低功耗电子设备中的电源开关和信号传输开关。
模拟开关应用：BSS84可用作模拟开关，用于控制信号的通断。
消费电子产品：它可应用于消费电子产品中的电源管理、功率控制等方面
联系号码：18923864027（同微信）
QQ：709211280
