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    AO8810场效应管参数,AO8810充电芯片

    发布时间:2024-12-18 17:46:30
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    产品概述
    AO8810场效应管参数
    烜芯微生产AO8810场效应管,提供AO8810的参数规格书,AO8810A中文资料与AO8810场效应管的引脚图
    AO8810场效应管参数具体如下:
    极性:双N沟道
    Power Dissipation(w)功耗:1.23W
    Continuous Drain Current ID(A)持续漏极电流:7A
    Drain-Source Voltage VDS(V)漏源极电压:20V
    Gate-Source Voltage VGS(V)栅源电压:±10V
    Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压:0.5~1.2V
    Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=3.5A,VGS=4.5V:Typ 11.5mΩ Max 15mΩ
    Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=3.5A,VGS=2.5V:Typ 15mΩ Max 18mΩ
    Junction and Storage Temperature Range :结和储存温度范围:-55 to 150℃
    AO8810场效应管封装为:TSSOP-8
    AO8810
    作用与应用
    AO8810场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中,它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动,实现对负载的精确控制。AO8810广泛应用于以下领域:
    锂电池充电保护:AO8810常用于锂电池的充电保护电路,确保电池在充电过程中的安全和稳定。
    电源管理:在电源管理电路中,AO8810可以作为开关器件,控制电源的分配和转换,提高能效。
    便携式设备:由于其小尺寸和低功耗特性,AO8810非常适合用于便携式设备中,如智能手机、平板电脑等。
    负载开关:AO8810可以用作负载开关,控制电机和其他负载的启停,实现高效的能量管理。
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