烜芯微生产SI2320场效应管,提供SI2320的参数规格书,SI2320中文资料与SI2320场效应管的引脚图
SI2320场效应管参数具体如下：
极性：NPN
Power Dissipation(w)功耗：2W
Continuous Drain Current ID(A)持续漏极电流：7.5A
Drain-Source Voltage VDS(V)漏源极电压：20V
Gate-Source Voltage VGS(V)栅源电压：±12V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压：0.5~1.2V
Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压：0.5~1.2V
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=8A,VGS=4.5V：Typ 14mΩ Max 18mΩ
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=5A,VGS=2.5V：Typ 18mΩ Max 23mΩ
Junction and Storage Temperature Range ：结和储存温度范围：-55 to 150℃
SI2320场效应管封装为：SOT-23
作用与应用
SI2320场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中，它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动，实现对负载的精确控制。SI2320广泛应用于以下领域：
电源管理：SI2320可用作低压降开关，用于电源管理电路中的电池充放电控制、DC-DC变换器等。
信号放大：在音频放大器和低频放大器中，SI2320可以作为信号放大的关键部件。
开关控制：在各种开关电路中，如LED灯控制、电机控制等，SI2320能提供高效的开关控制功能。
模拟开关：在模拟电路中，SI2320可以作为开关管，用于模拟信号的控制和处理。
充电管理：在移动设备和电动车等充电管理系统中，SI2320用于充电过程中的电池保护和充电控制。
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