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    SI2318场效应管参数,SI2318MOS管

    发布时间:2024-12-18 16:47:18
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    产品概述
    SI2318场效应管参数
    烜芯微生产SI2318场效应管,提供SI2318的参数规格书,SI2318中文资料与SI2318场效应管的引脚图
    SI2318场效应管参数具体如下:
    极性:NPN
    Power Dissipation(w)功耗:1.6W
    Continuous Drain Current ID(A)持续漏极电流:5A
    Drain-Source Voltage VDS(V)漏源极电压:40V
    Gate-Source Voltage VGS(V)栅源电压:±20V
    Gate Threshold Voltage Vgs(ts)开启电压:1.0~2.2V
    Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=4A,VGS=10V:Typ 30mΩ Max 40mΩ
    Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)导通电阻ID=3A,VGS=4.5V:Typ 40mΩ Max 60mΩ
    Junction and Storage Temperature Range :结和储存温度范围:-55 to 150℃
    SI2318场效应管封装为:SOT-23
    SI2318
    作用与应用
    SI2318场效应管的核心作用是作为电子开关使用。在电路中,它通过控制栅极电压来调节漏源路径上的电流流动,实现对负载的精确控制。SI2318广泛应用于以下领域:
    电源管理:SI2318可用作低压降开关,用于电源管理电路中的电池充放电控制、DC-DC变换器等。
    信号放大:在音频放大器和低频放大器中,SI2318可以作为信号放大的关键部件。
    开关控制:在各种开关电路中,如LED灯控制、电机控制等,SI2318能提供高效的开关控制功能。
    模拟开关:在模拟电路中,SI2318可以作为开关管,用于模拟信号的控制和处理。
    充电管理:在移动设备和电动车等充电管理系统中,SI2318用于充电过程中的电池保护和充电控制。
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