我们首先拿一个NMOS来举例。
对于N沟道MOS管来说其导通条件一般为VG大于VS电压。
假设一个5V电压作用于栅极，MOS管在这一瞬间被导通。
原因是此时VG=5V, VS=0V,从而满足了导通条件VGS大于0。
当MOS管导通后，VS会变为VCC,也就是12V，在这时VGS电压将变为5V，减去原本的12V，VGS变成了-7V，在这一瞬间MOS管将被关断。
但在某些电路中又必须将负载放在源极下面。
用三极管基极通上高电平，三极管导通，这就意味着mos管的栅极连接到了0V，所以MOS管关断。
但同时，这个电容器将充电到12V，在这个充电过程中，源极电压会慢慢从12V降为0V，所以当三极管基极放置低信号时，三极管被关断，在这一瞬间MOS管的栅极电压被电容抬高了。
因此，加在栅极上的电压，是电容器的12V再加上来自VCC的12V电压，所以是24V。
最后，这次GS电压为24,减去前面的12，为12V，因此mos管处于导通状态。
（MOS管负载开关电路原理图）
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