自举电容电路用于解决MOS管驱动电压不足的问题，通过电容升压使电压高于Vin，实现导通。在电路中，当PWM为1时，Q1导通，Q2的B端电压为低，Q2导通，Q2的E端电压为14V，经过Q2、D2、R4后，G端电压为12V，实现Q管导通。当PWM为0时，Q1断开，Q2也断开，自举电容C3的泄放电压为0，电机电流续流通过体二极管，C3电容充电完成。自举电源的电压需要比MOS管驱动电压高约2V。
我们知道，MOS管是电压驱动型器件。当G极大于S极至少一个Vth时，MOS管才会导通。我们来看下面这个电路：
这里的G极是12V，但由于电阻R7流过电流时存在压降，导致G极被抬高。
一般不是低压MOS的情况下，datasheet的驱动电压用10V或者12V，在上图电路中我们将驱动电压设为G-S= 12-8.42=3.58V，3.5V同样能实现导通，但是导通电阻会很大，导致MOS管发热。
这时候，自举电容电路的用处就来啦。
首先简单解释下自举电容电路
自举，是指通过开关电源MOS管（这里指上管）和电容组成的升压电路，一般通过电源对电容充电，使其电压高于Vin。
最简单的自举电路由一个电容构成，为了防止升高后的电压，会回灌到原始的输入电压，通常会加一个二极管。
它的优势在于利用电容两端电压不能突变的特性来升高电压。
那么在刚刚上述的电路问题中，我们就可以用自举电容的方法来解决。
我们来看下面这个自举电路
-电容的左端为VB，即Vboost，电容的右端为VS浮地；
-C3则为自举电容；
-M为感性负载，电流向右续流。
MOS管Q开通
假设此时的自举电容C3已经充满电，为14V。
当PWM为1时，Q1实现导通，C端的电压为低，接着Q2的B端电压也为低，Q2导通；
这时Q2的E端电压为14V，经过Q2、D2、R4以后MOS管G端大概为12V，Q管（MOS）导通。在这里我们可以得知，自举电源的电压需要比MOS管驱动电压高约2V。
此后Q3的B端电压高于E端，Q3则关断。
Q管导通以后，VM（电机M为感性负载）直接施加在Q管的S端，由于S端与电容的右端相连，自举电容C3右端被抬高，大概在24V。
这时 电容两端的电压无法突变，电容左边的电压同样被抬高，此时14V+24V=38V。
随后，38V电压经过Q2、D2、R4持续给Q管的G端供电。
最后便达到了Q管的S端和G端被同时抬高至24V，且Vgs=12V。
接着我们来说MOS管Q关断的情况：
当PWM变为0时，Q1断开，Q2的BE没有了电流路径，Q2就会断开。这时自举电容的泄Vgs=0，Q管则关闭。
电机M（感性负载）电流向右续流，电流通过Q管的体二极管进行续流，此时C3电容右端电压为-0.7V，无法起到升压作用。二极管D1导通，14V电源通过D1给C3电容充电，充电完成。
接着PWM从0切换为1继续循环步骤。
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