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  • 结型场效应管JFET偏置电路介绍
    • 发布时间:2024-10-21 17:32:07
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    结型场效应管JFET偏置电路介绍
    一、 实验目的
    1、  学习JFET自偏电压电路。
    2、  学习JFET分压偏置电路。
    3、  估算JFET自偏压电路的静态工作点,几栅源电压Vgs、漏极电压Id和漏源电压V-ds,并比较估算值与计算值。
    4、  检验JFET自偏压电路的稳定性。
    5、  估算JFET分压偏压便置电路的静态工作点Vgs、Id、和Vds 、并比较估算值与测量值。
    6、  检验分压偏置电路的稳定性。
    二、 实验器材
    JFET MPF102                                1个
    直流电源                                    1个
    直流电压表                                   3个
    0—20mA直流毫安表                          1个
    电阻:100Ω、1kΩ、1.3KΩ、500KΩ、1MΩ、和3.5MΩ     各一个
    三、 实验原理
    在图1 所示的JFET自偏压电路中,设栅极电流为零,栅极电阻Rg两端的电压Vg亦为零,则栅源电压等于源极电压Vs的负值
    Vgs=Vg-Vs=0-Vs=-Vs
    结型场效应管JFET偏置电路介绍
    图1 JFET自偏电压电路
    其中源极电压Vs等于漏级电流Id与源极电阻Rs的乘积
    Vs=IdRs
    在图2 所示的JFET分压偏置电路中,设栅极电流为零,则栅极电压Vgs等于栅极电压Vg减去源极电压Vs
                       Vgs=Vg-Vs
    结型场效应管JFET偏置电路介绍
    图1 JFET分压偏置电路
    其中源极电压Vs 等于漏极电流Id与源极电阻Rs的乘积
                        Vs=IdRs
    栅极电压为分压电阻R2与R1的分压比乘以电源电压Vdd
                       Vg=R2Vdd/(R1+R2)
    四、 实验步骤
    1、  在电子工作平台上建立如图所示的实验电路。单击仿真开关运行动态分析。记录漏极电流Id、漏极电压Vds、源极电压Vs和栅极电压Vg的读数。
    2、  根据步骤1的读数,计算栅源电压Vgs,并确定JFET自偏压电路的静态工作点。
    3、  单击场效应管T,下拉电路菜单Circuit,选择模式命令Model。在弹出的模式对话框中
    选中JFET MPF102,单击编辑按扭Edit,调出MPF102的参数。将传输系数Transconductance
    Coefficient 由0.00104改为0.0005,然后单击接受按钮。改变这个传输系数,是为了检验
    更换JEFT对场效应管自偏压电路漏极直流电路的影响,也可间接反映静态工作电的稳定性。
    单击仿真开关运行动态分析,并记录漏极电流Id和漏源电压Vds。
    4、  确定T传输系数为0.0005时电路的静态工作点,然后再将JFET  MPF102的传输系数改为0.00104。
    5、  在EWB平台上建立如图4—13所示的分压式电路。单击仿真开关运行动态分析,记录Id、Vds、Vs和Vg的读数。
    6、  根据步骤5的读数,计算栅源电压Vgs,确定电路的静态工作点。
    7、  按步骤3的方式,将场效应管T的传输系数由0.00104改为0.0005。单击仿真开关运行动态分析,记录Id、和Vds,确定传输系数为0.0005时电路的静态工作点,然后再将T的传输系数改回0.00104。
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