MOSFET与BJT区别
MOSFET是电压驱劢,双极型晶体管(BJT)是电流驱劢。
(1)只容许从信号源叏少量电流的情况下,选用MOS管;在信号电压较低,有容许从信号源取较多电流的条件下,选用三极管。
(2)MOS管是单极性器件(靠一种多数载流子导电),三极管是双极性器件(既有多数载流子,也要少数载流子导电)。
(3)有些MOS管的源极和漏极可以互换运用,栅极也可正可负,灵活性比三极管好。
(4)MOS管应用普遍,可以在很小电流和很低电压下工作。
(5)MOS管输入阻抗大,低噪声,MOS管较贵,三极管的损耗大。
(6)MOS管常用来作为电源开关,以及大电流开关电路、高频高速电路中,三极管常用来数字电路开关控制。
MOSFET与IGBT区别
IGBT芯片=MOSFET+BJT。 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效管)组成的复合功率半导体,兼备了双极型晶体管的高耐压和MOSFET输入抗阻高的特性,因此IGBT适用于高电压、大电流场合。
MOSFET与IGBT区别:电压需求
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