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  • MOS管应用之防反接电路优缺点介绍
    • 发布时间:2024-08-06 18:17:19
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    MOS管应用之防反接电路优缺点介绍
    一、典型电路
    1、电路1
    MOS管防反接电路优缺点
    说明:
    GND-IN  为电源接口的负极
    GND    为内部电路的公共地
    原理分析
    正向接:
    VCC-IN通过R1、R2、MOS体二极管,最后回到GND-IN;然后GS电压升高,紧接着SD沟道形成;沟道电阻很小,将MOS体二极管短路。
    反向接:MOS体二极管截至
    2、电路2
    说明:
    GND-A-24V  为电源接口的负极
    GND-A    为内部电路的公共地
    MOS管防反接电路优缺点
    原理分析
    正向接:
    VCC-IN通过R1、R2 ,最后回到GND-IN;然后GS电压升高,紧接着SD沟道形成,GND-A-24V便接在了GND-A上。
    反向接:
    虽然 MOS体二极管这时正向接,但是由于GND-A上端接的是我们的电路,电路的上端是VCC-A-24V-IN,所以还是无法通过;事实上GND-A-24V根本接不进我们的电路以形成回路。
    二、优缺点
    1、优点
    由于正向接导通时,MOS管Ron很小,压降非常小,基本保证了GND和GND-IN等电位。
    而串联二极管会有一定的压降。
    2、缺点
    电路复杂,价格也高。
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