耗尽模式和增强模式MOS管是什么
耗尽型MOSFET:
耗尽型 MOSFET 类似于开路开关。在此模式下,施加栅极到源极电压 (VGS) 以关闭器件。当栅极电压为负时,正电荷会在通道中累积。这会导致沟道中的耗尽区并阻止电流流动。因此,由于电流的流动受耗尽区形成的影响,所以称为耗尽型 MOSFET。
![耗尽模式 增强模式 区别](http://www.ejiguan.cn/uploadfile/2024/0806/20240806061446457.png)
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增强型MOSFET:
增强型 MOSFET 类似于闭合开关。在此模式下,施加栅极-源极电压 (VGS) 以开启器件。当负电压施加到 MOSFET 的栅极端时,携带正电荷的空穴在氧化层附近聚集,形成从源极到漏极的沟道。随着电压变得更负,通道宽度增加,电流增加;因此它被称为增强型MOSFET。
![耗尽模式 增强模式 区别](http://www.ejiguan.cn/uploadfile/2024/0806/20240806061511634.png)
![耗尽模式 增强模式 区别](http://www.ejiguan.cn/uploadfile/2024/0806/20240806061511634.png)
耗尽模式和增强模式MOS管的区别
1、工作原理不同
耗尽型:当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。即:耗尽型MOS管的VGS (栅极电压)可以用正、零负电压控制导通。
增强型:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。即:增强型MOS管必须使得VGS》VGS (th) (栅极阈值电压)能导通。
2、结构不同
耗尽型:场效应管的源极和漏极在结构上是对称的,可以互换使用,耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此,使用场效应管比晶体管灵活。
增强型:增强型的原始沟道较窄、掺杂浓度较低,使得在栅电压为0时沟道即被夹断,只有加上正栅偏压 (必须小于0.5V) 时才产生沟道而导电;输出伏安特性仍然为饱和特性。
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