不同型号的MOS管由于结构，制程，工艺的不同，其开启电压也是不同的，如下图所示，有些开启电压1.5V即可，有些则要4.5V，那么我们在驱动对应的MOS时，驱动电压越高越好?还是说只要大于开启电压就行呢?接下来我们就这些问题讲解一下。
不同型号MOS管开启电压
MOS管驱动电压越高越好吗?
MOS管驱动电压是不是越高越好这个问题要分两方面来阐述，首先驱动电压低，意味着我们在开关MOS时产生的开关损耗比较小，特别是在一些高频应用中。但是另一方面，在一些使用MOS进行大电流开关应用的场合中，由于电流比较大，此时MOS由于Rds导通内阻的存在，会导致MOS发热比较严重，为了减小MOS管的发热，我们一般通过提高Gate驱动电压来降低MOS管的Rds导通内阻，从而降低发热。我们都知道MOS管由于GS,GD寄生电容的存在导致MOS管存在一个平台电压，所以驱动电压至少应大于平台电压，使得MOS管工作在饱和区。
MOS管导通内阻和Vgs关系曲线
一般来说驱动IC内部一般会集成自举电路输出一个较高的驱动电压，所以更高的驱动电压，更强的驱动能力往往意味着成本的上升，所以综合MOS管温升，成本，开关损耗等因素来决定你得驱动电压才是合理的。
另外一方面我们在进行MOS的驱动IC选型时，也要注意驱动IC的Gate关闭电压，因为有些IC的Gate关闭电压并不为0，比如下面例子中在worse case情况下甚至达到了1.5V，虽然这种情况比较少见，但是一旦大规模量产，总会出现的，这样当我们的MOS开启电压超过1V时，采用这个驱动IC可能存在MOS无法正常关断的情况，这是很危险的。因为一旦你得MOS无法正常关断，在输出负载短路时，MOS可能会由于温升过大直接烧毁了。
总结
所以总结来说，我们在关注MOS管驱动电路驱动电压时既要关注MOS管的开启电压，也要关注驱动IC的Gate关闭电压，同时还要考虑大电流应用场合中的Rds导通内阻导致的MOS管发热问题，当然成本考虑也是必不可少的。
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